PRODUCT製品情報
貼り合せ技術の概要
単結晶SiC基板と多結晶SiC基板を研磨し、単結晶基板にイオン注入のうえで常温接合、そして熱剥離することにより、多結晶基板上に薄い単結晶層を形成します。
貼り合せ基板の優位性
右図に示します様々な特性により、お客様の製品および工程の改善に貢献いたします。
参考：2019年先進パワー半導体分化会発表「低コストな貼り合わせSiC基板を用いたSBDデバイス特性評価」
参考：2020年先進パワー半導体分化会発表「貼り合せSiC基板を用いた熱処理不要なオーミックコンタクトの実現」
参考：2020年先進パワー半導体分化会発表「3C-SiC多結晶と4H-SiC単結晶の貼り合わせ基板上に形成されたパワーデバイスのI-V特性評価」
参考：2022年先進パワー半導体分化会発表「4H-SiC接合基板上に形成された4H-SiC PiNダイオードの順方向バイアス劣化評価」
貼り合せ基板特有の現象
接合プロセスを経て製造するため、基板内に微小のボイドと未転写欠陥が含まれます（保証個数は標準規格参照）。未転写欠陥は、単結晶層が無いため、キラー欠陥となります。
右表のとおり、650V-SBD（JBS）チップにおける静特性を測定し、貼合せ基板品質特性とデバイス歩留りの関係を調査しております。ボイドとSBDデバイス歩留りに相関は見られず、ボイドがデバイス特性に与える影響は小さいものと考えております。
また、接合面の剝がれのご懸念を頂戴することがございますが、右グラフのとおり、単結晶と多結晶の熱膨張係数に差異はなく、熱膨張の差による剥がれは発生いたしません。
